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功率老炼 |
高温反偏试验（HTRB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度150℃；电压5000V； |
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高温栅偏试验（HTGB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度150℃；电压100V； |
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高温高湿反偏试验（H3TRB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压4500V； |
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功率老炼测试 |
试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR； 试验能力：检测电压：4500V，检测电流：200A |
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间歇寿命试验（IOL） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件； 检测能力：ΔTj≧100℃ 电压60V，电流50A。 |
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功率循环试验（PC） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：IGBT模块； 检测能力：ΔTj=100℃，电压30V，电流1800A； |
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热阻测试（Riath） |
执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6； 试验对象：各类二极管； 试验能力：瞬态热阻、稳态热阻 |
