IGBT功率模块/器件长禾实验室认证测试（静动态参数测试）
功率器件要测哪些参数？IGBT要测那些参数？功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试，欢迎联系西安长禾半导体，我们是做深圳IGBT测试、深圳SiC测试、深圳间歇寿命测试、深圳老炼测试、HTGB测试、HTRB测试、HT3GB测试、深圳热阻测试、RTH测试、静态/动态参数测试、深圳DPA测试、失效分析。
随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间。西安长禾半导体积极布局第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务，助力器件国产化、高新化发展。
测试标准：
覆盖MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等标准；服务内容包括：静态参数，动态参数，热特性，雪崩耐量，短路特性及绝缘耐压测试；设备支持0-1500A，0-3000V的器件参数检测。
产品范围：
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块
测试项目：
静态参数 符号
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSS
Drain Leakage Current IDSS
Gate Leakage Current IGSS
Gate Threshold Voltage VGS(th)
Drain to Source On Resistance RDS(on)
Drain to Source On Voltage VDS(on)
Body Diode Forward Voltage VSD
Internal Gate Resistance Rg
Input capacitance Cies
Output capacitance Coes
Reverse transfer capacitance Cres
Transconductance gfs
Gate to Source Plateau Voltage Vgs(pl)
