首页 供应 求购 城市 登陆

IGBT晶闸管MOS功率器件测试实验室

  • 发布时间:2024-05-08 09:53:42
    报价:1888/套
    国家地区:陕西 - 西安
    地址:西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼1031
    公司:西安长禾半导体技术有限公司
    电话:029-81153217
    手机:15891485109
    微信:baixiaohui000
    用户等级: 普通手机验证 会员认证

    西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家CNAS 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。

    长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

    长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

    长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

    诚信立世,感恩回馈,欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴,共谋发展大计!

    检测项目

    覆盖产品

    检测能力

    参考标准

    功率循环试验(PC)

    IGBT模块

    ΔTj=100℃ 电压电流1800A 12V

    IEC 客户自定义

    高温反偏试验(HTRB)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件

    温度150℃; 电压2000V

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高温门极试验(HTGB)

    MOSFET、SiC MOS等单管器件

    温度150℃; 电压2000V

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高温工作寿命试验(HTOL)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

    温度150℃ 电压2000V

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    低温工作寿命试验(LTOL)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

    温度-80℃ 电压2000V

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高温储存试验(HTSL)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度150℃;

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    低温储存试验(LTSL)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度-80℃

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高温高湿试验(THB)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度180℃ 湿度范围:10%~98%

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高低温循环试验(TC)

    MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度范围:-80℃~220℃

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC)

    MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

    ΔTj≧100℃ 电压电流48V,10A

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    稳态功率试验(SSOL)

    MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

    ΔTj≧100℃ 电压电流48V,10A

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高加速应力试验(HAST)

    MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度130℃/110℃ 湿度85%

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    *无偏压的高加速应力试验(UHAST)

    MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度130℃ 湿度85%

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    高温蒸煮试验(PCT)

    MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

    温度121℃ 湿度100%

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    预处理试验(Pre-con)

    所有SMD类型器件

    设备满足各个等级的试验要求

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    潮气敏感度等级试验(MSL)

    所有SMD类型器件

    设备满足各个等级的试验要求

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    *可焊性试验(Solderability)

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

    有铅、无铅均可进行

    美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

    IGBT晶闸管MOS功率器件测试实验室

    提醒:联系时请说明是从聚荣网看到的。

免责申明:聚荣网所展示的信息由用户自行提供,其真实性、合法性、准确性由信息发布人负责。使用本网站的所有用户须接受并遵守法律法规。聚荣网不提供任何保证,并不承担任何法律责任。 聚荣网建议您交易小心谨慎。