NTMD4N03R2G 4A， 30 V ， 双N沟道SO- 8 MOS管
1、规格
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4A |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On | 60 毫欧 4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th） | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） | 16nC 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 400pF 20V |
| 功率 - | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
2、产品特点
设计用于在低电压，高速开关应用中使用
超低导通电阻提供更高的效率并延长电池寿命
小型SO- 8表面贴装封装
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
NVMD前缀为汽车和其他需要的应用独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅和符合RoHS标准
BSC027N04LSG N沟道场效应MOS管
3、特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的DC / DC转换器
根据JEDEC合格1)为目标的应用
N沟道;逻辑电平
优秀的栅极电荷XRDS （ ON）产品（ FOM ）
极低的导通电阻RDS （ ON）
卓越的热电阻
100 ％雪崩测试
无铅电镀;符合RoHS标准
2、产品规格：
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 24A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压 | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On | 2.7 毫欧 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th） | 2V 49µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） | 85nC 10V |
| Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 6800pF 20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散 | 2.5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
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