N沟道场效应管
规格：
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 100A（Tc） |
| 驱动电压 | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On | 3.1 毫欧 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th） | 2.2V 93µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） | 79nC 4.5V |
| Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 13000pF 30V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散 | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TDPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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