分立半导体 IRFIBC30GPBF 场效应管
规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）
驱动电压10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On 2.2 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th） 4V 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 31nC 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 660pF 25V
FET 功能 -
功率耗散 35W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 T全封装，隔离接片
20ETF04PBF 整流二极管
规格：
二极管类型 标准
电压 - DC 反向（Vr）400V
电流 - 平均整流（Io） 20A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf 1.3V 20A
速度 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr） 160ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100µA 400V
不同 Vr，F 时的电容 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-2
供应商器件封装 TO-220AC
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C
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