CSD17306Q5A 30V N通道 场效应管
描述
该NexFET™功率MOSFET的设计的限度地减少电源转换应用的损失，并优化了5V栅极驱动应用。
应用
加载笔记本点
同步降压在负载点的网络，电信和计算机系统
特点
优化5V栅极驱动器
超Qg和Qgd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
STGW80H65DFB 是ST意法半导体使用基于新的高电压技术上专利带布局，意法半导体设计了一个IGBT的一种先进的家庭，的PowerMESH ™IGBT的，同优秀perfomances 。后缀“ H”的标识家庭优化，以达到非常低的开关时间高频应用（ <120kHz ） 。
特点
高输入阻抗（电压驱动）
低导通压降（ VCESAT)
低栅电荷
高电流能力
甚高频运行
关损失包括尾电流
应用
高频电机控制
SMPS和PFC以硬开关及谐振拓扑结构
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