晶导微电子(JingDao Microelectronics)是一家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业。公司拥有先进的GPP芯片生产线和高度自动化的封测生产线,实现了芯片、框架和封测的产业链整合,已拥有150多项专利。 主 要 产 品: TVSFREDMOSFET肖特基整流桥开关二极管稳压二极管整流二极管普通整流二极管快恢复二极管桥式整流器高效整流二极管超快恢复二极管快恢复桥式整流器高效桥式整流器肖基特二极管低正向肖基特二极管小信号肖基特二极管小信号整流二极管瞬态抑制二极管双向触发二极管大功率桥堆小信号三极管贴片压敏电阻 主要应用: LED照明,手机充电器,家用电器,开关电源,通信,仪表,适配器,绿色照明,新能源,汽车电子 高效整流二极管:直流反向耐压(Vr)范围50~1000V,平均整流电流(Io)0.5~10A,包含SOD-123FL、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、SOT-23、TO-251、TO-252封装形式。 超快恢复二极管:直流反向耐压(Vr)范围50~800V,平均整流电流(Io)1~30A,包含SOD-123FL、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、SOT-23、TO-251、TO-252封装形式。 桥式整流器:直流反向耐压(Vr)范围100~1000V,平均整流电流(Io)0.8~8A,包含MBF、MBS、ABS、ABF、UMB、UMSB、ULBF封装形式。 超快恢复桥式整流器:直流反向耐压(Vr)范围50~600V,平均整流电流(Io)2~10A,包含KBP、GBJ、GBU封装形式。 肖特基整流桥:直流反向耐压(Vr)范围40~200V,平均整流电流(Io)1~15A,包含MBF、MBS、ABS、UMB、ULBF、GBU封装形式。 小信号整流二极管:直流反向耐压(Vr)范围50~1000V,平均整流电流(Io)0.5—1A,包含SOD-123、SOD-323封装形式。 小信号快恢复二极管:直流反向耐压(Vr)范围50~1000V,平均整流电流(Io)1A,包含SOD-123、SOD-323封装形式。 开关二极管:直流反向耐压(Vr)范围40~600V,平均整流电流(Io)70~1000mA,包含SOD-123、SOD-123FL、SOD-123W、SOD-323、SOD-323HE、SOD-323W、SOD-523、SOT-23封装形式。 瞬态抑制二极管:功耗范围200W~3000W,包含SOD-123FL、SMAF、SMA、SMBF、SMB、SMC封装形式。 稳压二极管:功耗范围0.2W~3W,包含SOD-123HE、SOD-123W、SOD-323W、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SOT-23封装形式。 大功率桥堆:直流反向耐压(Vr)范围50~1000V,包含KBP、GBU、GBJ封装形式。 MOS场效应管:VDSS范围200~700V,包含TO-252W、TO-251ABW、TO-220ABW、ITO-220ABW封装形式。 三极管:特征频率范围50~800MHz,SOT-23封装形式。
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