4MB08SF04
• 单电压读写操作–2.7-3.6V
• 串行接口结构–SPI兼容：模式0和模式3
• 高速时钟频率
• 低功耗：–主动读电流：320 mA（典型）–待机电流：160μA（典型）
• 灵活擦除能力–均匀4 kbyte扇区–均匀32 kbyte覆盖Ay块–统一的64 kbyte叠加块
• 快速擦除和字节程序：–芯片擦除时间：35 ms（典型）–扇区/块擦除时间：18 ms（典型）–字节程序时间：7μs（典型）
• 自动地址增量（AAI）字程序–通过字节程序操作减少芯片编程总时间
• 写入结束检测–软件轮询状态寄存器中的忙位–在so pin上的忙状态读数
• hold pin（hold）–在不取消选择设备的情况下暂停对内存的串行序列
• 写保护（wp）–启用/禁用状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护–通过块保护进行写保护状态寄存器中的操作位
• 终端镀金
• 设计用于高温应用的读/写温度：最*55摄氏度，最*175摄氏度（200摄氏度应用请致电工厂）。
175摄氏度下的预期寿命为2000小时
