俄歇电子能谱AES检测测试服务
俄歇电子能谱AES检测测试服务
俄歇电子能谱分析(AES)可为客户解决的产品质量问题
(1)当产品表面存在微小的异物,而常规的成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析,可选择AES进行分析,AES能分析≥20nm直径的异物成分,且异物的厚度不受限制(能达到单个原子层厚度,0.5nm)。
(2)当产品表面膜层太薄,无法使用常规测试进行厚度测量,可选择AES进行分析,利用AES的深度溅射功能测试≥3nm膜厚厚度。
(3)当产品表面有多层薄膜,需测量各层膜厚及成分,利用D-SIMS结合AES能准确测定各层薄膜厚度及组成成分。
粉末样品提供10mg,样品用干净玻璃瓶盛装或铝箔纸包装。块状/薄膜:一般长宽厚不超出5*5*3mm。样品必须导电性好,不导电或者导电性差的样品不能做,样品在超高真空下必须稳定,无腐蚀性,无磁性,无挥发性等。
样品包装要求:样品制备好以后,尽可能进行真空密封,否则样品会吸附空气中的污染物,对表面测试会有影响。
样品信息:样品为客户端送检LED碎片,客户端反映LED碎片上Pad表面存在污染物,要求分析污染物的类型。
失效样品确认:将LED碎片放在金相显微镜下观察,寻找被污染的Pad,通过观察,发现Pad表面较多小黑点。
俄歇电子能谱仪( AES)分析:对被污染的Pad表面进行分析,结果如下图,位置1为污染位置,位置2为未污染位置。
结论:通过未污染位置和污染位置对比分析,发现污染位置主要为含K和S类物质,在未污染位置只发现S和O,推断污染位置存在K离子污染,并接触含S类介质,共同作用形成黑色的污染物。
二:
1. AES SEI成像+能谱图+元素定性半定量分析
2. AES俄歇成分成像 (MAPPING)
3. AES深度剖析曲线